主要特点 / MAIN FEATURE
● 超高真空兼容
● 蒸发温度不小于3000℃
● 精确的线性推进：0.01mm精度，25mm行程，特殊设计
● 内置挡板，不受空间限制完全打开
● 可靠的束流监控，有效避免外界电磁场影响
● 填料方便快速
产品应用 / APPLICATIONS
● 表面科学 ● 超薄膜层 ● 多分子层
● 掺杂 ● 样品制备 ● 密接金属化
型号注解 / PART NUMBER COMPOSITION
② 35：DN40CF ⑥ 可选 P：气动，M：手动
DN40CF (O.D. 2.75'' )
烘烤温度
200℃
腔内直径
34mm
腔内长度
210 mm标准长度， 190mm~400mm 可选长度
源数量
1
样品类型
棒材，颗粒，粉末（可供坩埚）
冷却方式
内部水冷, 1L/min
束流监控范围
0.1nA~1mA
灯丝电流
0~5A (10mA step)
加速电压
0~2000V
功率
不超过250W
束流发散度
±6°
蒸发温度
≥3000℃
坩埚容量
0.1cc
坩埚材料
钨，钼，钽，石墨，可定制其他材料
棒材尺寸
直径2~4 mm，长度30~60mm
PVD薄膜沉积系统
原子层沉积系统（ALD)
PVD多腔室互联系统
分子束外延系统（MBE)
扫描探针显微镜+分子束外延联合系统
坩埚和蒸发舟
溅射靶材
蒸发材料
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