主要特点 / MAIN FEATURE
● 超高真空兼容
● 优异的温度稳定性
● 独立的双路控温
● 良好的热隔绝性
● 有效提高UHV系统的使用效率
产品应用 / APPLICATIONS
● 表面科学
● 超薄膜层
● 多源掺杂
● 样品制备
● Ⅲ-V半导体薄膜研究和太阳能领域
型号注解 / PART NUMBER COMPOSITION
②63：DN63CF ④M：中温(400-1400℃） ⑥M：手动；P：气动 ⑧C：TypeC；K：TypeK
安装法兰
DN63CF (O.D. 4.5”)
腔内长度
标准长度270mm；260mm-400mm可选
腔内直径
63mm
工作温度
400-1400℃
加热方式
钽丝加热
温度稳定性
±0.1℃
温度测量
K型热偶（400℃-1100℃）C型热偶（450℃-1400℃）
除气温度
K型热偶 1200℃ ； C型热偶 1450℃
烘烤温度
200℃
源数量
2
坩埚材料
氧化铝；热解氮化硼；石英；可定制其他材料
坩埚容积
5cc
冷却方式
一体式水冷
PVD薄膜沉积系统
原子层沉积系统（ALD)
PVD多腔室互联系统
分子束外延系统（MBE)
扫描探针显微镜+分子束外延联合系统
坩埚和蒸发舟
溅射靶材
蒸发材料
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